ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 1.3 |
| PCB | 3 |
| 筛选等级 | Automotive |
| 最大功率耗散 | 300 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 7500@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 2.9 |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 0.94 |
| Maximum Continuous Drain Current | 0.115 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 115mA (Tc) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 50pF @ 25V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 系列 | 2N7002L |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 115 mA |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7.5 Ohms |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 技术 | Si |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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