ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 |
| 引脚数 | 3 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Package Width | 4.8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 20 |
| 安装 | Through Hole |
| 渠道类型 | N |
| Maximum Drain Source Resistance | 430@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 标签 | Tab |
| 供应商封装形式 | TO-3PB |
| Package Length | 15.6 |
| PCB | 3 |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 |
| 最大功率耗散 | 2500 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tray |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 20A (Ta) |
| 封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商设备封装 | TO-3PB |
| 其他名称 | 869-1070 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 430 mOhm @ 8A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 标准包装 | 100 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1200pF @ 30V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 46.6nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 20 A |
| RDS（ON） | 330 mOhms |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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