厂商型号:

2SC5551AE-TD-E

芯天下内部编号:
277-2SC5551AE-TD-E
生产厂商:

on semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 4PCP
类型 NPN
引脚数 4
最大集电极发射极电压 30 V
集电极最大直流电流 0.3 A
最小直流电流增益 90@50mA@5V
最大工作频率 3500(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.3@5mA@50mA V
最大集电极基极电压 40 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 1300 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 0.3
最低工作温度 -55
Maximum Transition Frequency 3500(Typ)
Package Width 2.5
PCB 3
最大功率耗散 1300
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 40
最大集电极发射极电压 30
供应商封装形式 PCP
最高工作温度 150
Package Length 4.5
Package Height 1.5
Maximum Emitter Base Voltage 2
标签 Tab
铅形状 Flat
电流 - 集电极( Ic)(最大) 300mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 3.5GHz
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 PCP
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 1.3W
封装/外壳 TO-243AA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 90 @ 50mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
RoHS RoHS Compliant
发射极 - 基极电压VEBO 2 V
增益带宽产品fT 3.5 GHz
直流电流增益hFE最大值 270
晶体管极性 NPN
系列 2SC5551A
品牌 ON Semiconductor
集电极 - 发射极饱和电压 0.3 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 30 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 40 V
Pd - Power Dissipation 1.3 W
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
连续集电极电流 300 mA

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