on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3CP |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 10 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.07 A |
| 最小直流电流增益 | 90@20mA@5V |
| 最大工作频率 | 7000(Typ) MHz |
| 最大集电极基极电压 | 20 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 0.07 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Maximum Transition Frequency | 7000(Typ) |
| Package Width | 1.5 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 200 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 20 |
| 最大集电极发射极电压 | 10 |
| 供应商封装形式 | CP |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Length | 2.9 |
| Package Height | 1.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 2 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 70mA |
| 噪声系数（dB典型值@频率） | 1dB @ 1GHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 7GHz |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 10V |
| 供应商设备封装 | 3-CP |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 增益 | 12dB |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 90 @ 20mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 频率 - 跃迁 | 7GHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 增益 | 12dB |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 90 @ 20mA, 5V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） | 1dB @ 1GHz |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 70mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 10V |
| 长度 | 2.9mm |
| Board Level Components | Y |
| 最大直流集电极电流 | 0.07 A |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 高度 | 1.1mm |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 宽度 | 1.5mm |
| 封装类型 | CP |
| 最大集电极-发射极电压 | 10 V |
| 引脚数目 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 60 |
| 尺寸 | 2.9 x 1.5 x 1.1mm |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大发射极-基极电压 | 2 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大工作频率 | 120 MHz |
| 最大集电极-基极电压 | 20 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 增益带宽产品fT | 7 GHz |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 2 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 系列 | 2SC5227A |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 60 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 270 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 10 V |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 20 V |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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