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厂商型号:

2SB1205T-TL-E

芯天下内部编号:
277-2SB1205T-TL-E
生产厂商:

on semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TP-FA
类型 PNP
引脚数 3
最大集电极发射极电压 20 V
集电极最大直流电流 5 A
最小直流电流增益 200@500mA@2V
最大工作频率 320(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.5@60mA@3A V
最大集电极基极电压 25 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 1000 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
RoHS RoHS Compliant
配置 Single
晶体管极性 PNP
集电极 - 基极电压VCBO - 25 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 20 V
发射极 - 基极电压VEBO - 5 V
集电极 - 发射极饱和电压 - 0.25 V
增益带宽产品fT 320 MHz
直流集电极/增益hfe最小值 60 A
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 TO-252
连续集电极电流 - 5 A
直流电流增益hFE最大值 400
最低工作温度 - 55 C
封装 Reel
寿命 New At Mouser
集电极最大直流电流 5
Maximum Transition Frequency 320(Typ)
Package Width 5.5
PCB 2
最大功率耗散 1000
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 25
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TP-FA
标准包装名称 TO-252
最高工作温度 150
Package Length 6.5
最大集电极发射极电压 20
Package Height 2.3
Maximum Emitter Base Voltage 5
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 5A
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 320MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 60mA, 3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 20V
供应商设备封装 2-TP-FA
功率 - 最大 1W
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 200 @ 500mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
系列 2SB1205
频率 - 跃迁 320MHz
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 500mV @ 60mA, 3A
晶体管类型 PNP
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 500mA, 2V
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
功率 - 最大值 1W
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 5A
电压 - 集射极击穿(最大值) 20V
工厂包装数量 700
品牌 ON Semiconductor
Pd - Power Dissipation 10 W

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