on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-204 |
| 配置 | Single |
| 类型 | PNP |
| 最大集电极发射极电压 | 100 V |
| 峰值直流集电极电流 | 12 A |
| 最小直流电流增益 | 750@6A@3V|100@12A@3V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@24mA@6A|3@120mA@12A V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Trays |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 12A |
| 晶体管类型 | PNP - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 3V @ 120mA, 12A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| 供应商设备封装 | TO-3 |
| 封装 | Tray |
| 功率 - 最大 | 150W |
| 封装/外壳 | TO-204AA, TO-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 750 @ 6A, 3V |
| 其他名称 | 2N6052GOS |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 外形尺寸 | 39.37 x 26.67 x 8.51mm |
| 身高 | 8.51mm |
| 长度 | 39.37mm |
| 最大的基射极饱和电压 | 4 V |
| 最大集电极基极电压 | 100 V |
| 最大集电极截止电流 | 1mA |
| 最大连续集电极电流 | 12 A |
| 最大基地发射极电压 | 5 V |
| 最高工作温度 | +200 °C |
| 最大功率耗散 | 150 W |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | TO-204 |
| 引脚数 | 2 |
| 宽度 | 26.67mm |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 100, 750 |
| 集电极最大直流电流 | 12 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 150 W |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 12 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 12 A |
| 集电极 - 基极电压 | 100 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 100 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 工作温度范围 | -65C to 200C |
| 极性 | PNP |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 750 |
| 工作温度分类 | Military |
| 基射极饱和电压（最大值） | 4 V |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2 V |
| 集电极电流（DC ） | 12 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :100V |
| 功耗 | :150W |
| DC Collector Current | :12A |
| DC Current Gain hFE | :18 |
| Operating Temperature Min | :-65°C |
| No. of Pins | :2 |
| Weight (kg) | 0.009 |
| Tariff No. | 85412100 |
| Current,Gain | 100 |
| Current,Input | 0.2A |
| Current,Output | 12A |
| PackageType | TO-204AA(TO-3) |
| PowerDissipation | 150W |
| PrimaryType | Si |
| Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 3V |
| Voltage,Input | 5V |
| Voltage,Output | 100V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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