on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220AB |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 100 V |
| 峰值直流集电极电流 | 8 A |
| 最小直流电流增益 | 100@8A@4V|1000@3A@4V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@12mA@4A|4@80mA@8A V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 4.5@80mA@8A |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极发射极电压 | 100 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| 封装 | Rail |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 8 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@12mA@4A|4@80mA@8A |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 最低工作温度 | -65 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 75000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 8A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 2V @ 12mA, 3A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 20µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 功率 - 最大 | 75W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 1000 @ 3A, 4V |
| 其他名称 | 2N6045GOS |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 1000 |
| 集电极最大直流电流 | 8 A |
| 最大集电极截止电流 | 20 uA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 75 W |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 100 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 8 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 8 A |
| 集电极 - 基极电压 | 100 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 100 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | TO-220AB |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 100 |
| 工作温度分类 | Military |
| 基射极饱和电压（最大值） | 4.5 V |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极电流（DC ） | 8 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :100V |
| 功耗 | :75W |
| DC Collector Current | :8A |
| DC Current Gain hFE | :20 |
| Operating Temperature Min | :-65°C |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412100 |
| Current,Gain | 100 |
| Current,Input | 120mA |
| Current,Output | 8A |
| PackageType | TO-220AB |
| PowerDissipation | 75W |
| PrimaryType | Si |
| Resistance,Thermal,JunctiontoAmbient | 57°C/W |
| Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 4V |
| Voltage,Input | 2.8V |
| Voltage,Output | 100V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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