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厂商型号:

2N5087G

芯天下内部编号:
277-2N5087G
生产厂商:

on semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-92
类型 PNP
引脚数 3
最大集电极发射极电压 50 V
集电极最大直流电流 0.05 A
最小直流电流增益 250@100uA@5V|250@1mA@5V|250@10mA@5V
最大工作频率 40(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.3@1mA@10mA V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 625 mW
安装 Through Hole
标准包装 Boxed
集电极最大直流电流 0.05
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大功率耗散 625
最大基地发射极电压 3
Maximum Transition Frequency 40(Min)
封装 Bulk
每个芯片的元件数 1
Maximum Collector Base Voltage 50
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 50
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 50mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 40MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 250 @ 100µA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Medium Power
配置 Single
外形尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm
身高 5.33mm
长度 5.2mm
最大集电极基极电压 50 V
最大基地发射极电压 3 V
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-92
宽度 4.19mm
工厂包装数量 5000
集电极 - 发射极饱和电压 0.3 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO 3 V
直流集电极/增益hfe最小值 250 at 100 uA at 5 V
增益带宽产品fT 40 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
安装风格 Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO 50 V
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.05 A
集电极电流( DC)(最大值) 0.05 A
集电极 - 基极电压 50 V
集电极 - 发射极电压 50 V
发射极 - 基极电压 3 V
频率(最大) 40 MHz
功率耗散 0.625 W
工作温度范围 -55C to 150C
元件数 1
直流电流增益(最小值) 250
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
频率 40 MHz
直流电流增益 250
集电极电流(DC ) 0.05 A
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :50V
Transition Frequency ft :40MHz
功耗 :625mW
DC Collector Current :50mA
DC Current Gain hFE :40
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-92
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Collector Emitter Voltage Vces :300mV
Current Ic Continuous a Max :10mA
Current Ic hFE :800mA
Gain Bandwidth ft Typ :40MHz
Hfe Min :250
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :Through Hole
Weight (kg) 1.12
Tariff No. 85412900
Current,Collector 50mA
Current,Gain 250
PackageType TO-92
极性 PNP
PowerDissipation 1.5W
PrimaryType Si
Resistance,Thermal,JunctiontoCase 83.3°C/W
Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter 50V
Voltage,CollectortoBase 50V
Voltage,CollectortoEmitter 50V
Voltage,CollectortoEmitter,Saturation 0.3V
Voltage,EmittertoBase 3V

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