ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 14 A |
| RDS（ON） | 470 mOhms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 40 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-220-3 FP |
| 栅极电荷Qg | 46 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 144 ns |
| 上升时间 | 72 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 下降时间 | 48 ns |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 供应商设备封装 | TO-220F-3FS |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 610 mOhm @ 7A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 标准包装 | 50 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9.2A (Tc) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1200pF @ 30V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 46nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装类型 | 通孔 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.16mm |
| 典型输入电容值@Vds | 1220 pF @ 30 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 15.87mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 610 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最大功率耗散 | 40 W |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 宽度 | 4.7mm |
| 尺寸 | 10.16 x 4.7 x 15.87mm |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 典型接通延迟时间 | 27 ns |
| 典型关断延迟时间 | 144 ns |
| 封装类型 | TO-220F |
| 最大连续漏极电流 | 14 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 46 nC @ 10 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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