ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 2 A |
| RDS（ON） | 13 Ohms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 封装/外壳 | TO-247 |
| 漏源击穿电压 | 1.5 kV |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 供应商设备封装 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 13 Ohm @ 1A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 标准包装 | 30 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1500V (1.5kV) |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2A (Ta) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 380pF @ 30V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 37.5nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1500 V |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 系列 | 2SK3746 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 13 Ohms |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Id - Continuous Drain Current | 2 A |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 技术 | Si |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
