图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:1500 |
|
最小起订量:1500 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
|||||||||||||||
#2 |
数量:150 |
|
最小起订量:50 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
|||||||||||||||
#3 |
数量:20182 |
|
最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 2SA1319/2SC3332 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,500 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 700mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 160V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 400mV @ 25mA, 250mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 100 @ 100mA, 5V |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 频率转换 | 120MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | 3-SIP |
| 供应商器件封装 | 3-NP |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3NP |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 160 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.7 A |
| 最小直流电流增益 | 200@100mA@5V |
| 最大工作频率 | 120(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.4@25mA@250mA V |
| 最大集电极基极电压 | 180 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 700 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 0.7 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Maximum Transition Frequency | 120(Typ) |
| 包装宽度 | 4 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 700 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 180 |
| 最大集电极发射极电压 | 160 |
| 供应商封装形式 | NP |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 5 |
| 包装高度 | 5 |
| 最大基地发射极电压 | 6 |
| 封装 | Box |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 700mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 120MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 400mV @ 25mA, 250mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 160V |
| 供应商设备封装 | 3-NP |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 封装/外壳 | 3-SIP |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 100mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 频率 - 跃迁 | 120MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 400mV @ 25mA, 250mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 100mA, 5V |
| 封装/外壳 | 3-SIP |
| 功率 - 最大值 | 700mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 700mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 160V |
| 最高工作频率 | 120 MHz |
| 最大直流集电极电流 | 0.7 A |
| 长度 | 5mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 安装类型 | 通孔 |
| 高度 | 5mm |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V |
| 最大功率耗散 | 700 mW |
| 宽度 | 4mm |
| 封装类型 | NP |
| 最大集电极-发射极电压 | 160 V |
| 引脚数目 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 80 |
| 尺寸 | 5 x 4 x 5mm |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.4 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大集电极-基极电压 | 180 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.4 V |
| 晶体管极性 | NPN |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | 2SC3332 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 直流电流增益hFE最大值 | 400 |
| 增益带宽产品fT | 120 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 160 V |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 180 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 700 mW |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 连续集电极电流 | 0.7 A |
2SC3332T-AA也可以通过以下分类找到
2SC3332T-AA相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家