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图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:1845400 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:1845400 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:13 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
 2N3906 Datasheet |
| 文档 |
Multiple Devices 30/Sept/2011 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Product Discontinuation 30/Sept/2011 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 200mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 400mV @ 5mA, 50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 100 @ 10mA, 1V |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 频率转换 | 250MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 200mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 250MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 400mV @ 5mA, 50mA |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 10mA, 1V |
| 其他名称 | 2N3906RLRAGOSTR |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.2 A |
| 集电极 - 基极电压 | 40 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 40 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率（最大） | 250 MHz |
| 功率耗散 | 0.625 W |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-92 |
| 引脚数 | 3 |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 晶体管极性 | PNP |
| 频率 | 250 MHz |
| 删除 | Compliant |
| 集电极电流（DC ） | 0.2 A |
| 直流电流增益 | 60 |
| Current,Collector | 200mA |
| Current,Gain | 30 |
| PackageType | TO-92 |
| 极性 | PNP |
| PowerDissipation | 1.5W |
| PrimaryType | Si |
| Resistance,Thermal,JunctiontoCase | 83.3°C/W |
| 类型 | GeneralPurpose |
| Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter | 40V |
| Voltage,CollectortoBase | 40V |
| Voltage,CollectortoEmitter | 40V |
| Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 0.4V |
| Voltage,EmittertoBase | 5V |
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