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![]() ![]() 93(AA,LC,C)46x Datasheet ![]() |
文档 |
93(AA,LC,C)46A/B/C Datasheet 25/Jun/2013 8L SOIJ Package/Plating 31/Jul/2013 Qualification Copper Bond Wire 17/Jun/2014 Qualification Copper Wire 17/Mar/2014 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 60 |
格式 - 记忆 | EEPROMs - Serial |
Memory 型 | EEPROM |
内存大小 | 1K (64 x 16) |
速度 | 2MHz |
接口 | Microwire, 3-Wire Serial |
- 电源电压 | 4.5 V ~ 5.5 V |
操作温度 | -40°C ~ 85°C |
包/盒 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) |
供应商器件封装 | 8-PDIP |
包装材料 | Tube |
包装 | 8PDIP |
接口类型 | Serial-Microwire |
密度 | 1 Kb |
最大工作频率 | 2 MHz |
最大随机存取时间 | 250 ns |
典型工作电源电压 | 5 V |
组织 | 64x16 |
数据保存 | 200(Min) Year |
工作温度 | -40 to 85 °C |
标准包装 | Rail / Tube |
安装 | Through Hole |
包装宽度 | 6.35 |
PCB | 8 |
筛选等级 | Industrial |
数据保存 | 200(Min) |
典型工作电源电压 | 5 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
密度 | 1K |
最低工作温度 | -40 |
最大工作频率 | 2 |
供应商封装形式 | PDIP |
标准包装名称 | PDIP |
最高工作温度 | 85 |
包装长度 | 9.27 |
最低工作电源电压 | 4.5 |
引脚数 | 8 |
硬件数据保护 | Yes |
最大工作电流 | 2 |
包装高度 | 3.3 |
最大随机存取时间 | 250 |
封装 | Tube |
最大工作电源电压 | 5.5 |
铅形状 | Through Hole |
匹配代码 | 93C46B-I/P |
单位包 | 60 |
标准的提前期 | 17 weeks |
最小起订量 | 60 |
Permis.T ( A)分 | -40°C |
无铅Defin | RoHS-conform |
读/写CYCL | 1M |
Permis.T (A )最大 | 85°C |
汽车 | NO |
包装宽度 | 300 mil |
类型 | MICROWIRE |
组织 | 64x16 |
U( CC ) | 4.5V |
格式 - 存储器 | EEPROMs - Serial |
供应商设备封装 | 8-PDIP |
内存类型 | EEPROM |
存储容量 | 1K (64 x 16) |
电压 - 电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
接口 | Microwire, 3-Wire Serial |
速度 | 2MHz |
其他名称 | 93C46BIP |
封装/外壳 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
最大工作电流 | 2 mA |
产品种类 | EEPROM |
RoHS | RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 60 |
工作电源电压 | 5 V |
安装风格 | Through Hole |
电源电压 - 最大 | 5.5 V |
最低工作温度 | - 40 C |
封装/外壳 | PDIP-8 |
最大时钟频率 | 3 MHz |
电源电压 - 最小 | 4.5 V |
最高工作温度 | + 85 C |
访问时间 | 250 ns |
工作电流 | 2 mA |
频率 | 3 MHz |
工作温度范围 | -40C to 85C |
包装类型 | PDIP |
工作温度(最大) | 85C |
工作温度(最小值) | -40C |
工作温度分类 | Industrial |
可编程 | Yes |
写保护 | No |
电源电流 | 2 mA |
弧度硬化 | No |
工作电源电压(典型值) | 5 V |
工作电源电压(最小值) | 4.5 V |
工作电源电压(最大值) | 5.5 V |
访问时间(最大) | 250 ns |
Capacitance,Input | 7pF |
Capacitance,Output | 7pF |
Current,Input,Leakage | ±1μA |
Current,Operating | 100μA(Read),500μA(Write) |
Current,Output,Leakage | ±1μA |
DataRetention | >200yrs. |
MemoryType | SerialEEPROM |
PackageType | PDIP |
Temperature,Operating | -40to+85°C |
Time,Access | 200ns |
Time,AddressSetup | 50ns |
Voltage,ESD | ≥4kV |
Voltage,Input,High | 5.5V |
Voltage,Input,Low | 0.8V |
Voltage,Output,High | 2.4V |
Voltage,Output,Low | 0.4V |
Voltage,Supply | 4.5to5.5V |
案例 | DIP8 |
Memory capacity | 1kbit |
Memory organisation | 64x16bit |
Gross weight | 1.45 g |
Operating temperature | -40...85°C |
时钟频率 | 2MHz |
Kind of memory | EEPROM |
Operating voltage | 4.5...5.5V |
Multiplicity | 1 |
Integrated circuit type | memory |
Collective package [pcs] | 60 |
Maximum number of cycles | 1000000 |
访问时间 | 2ms |
spg | 60 |
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