图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NAND512W3A2SZA6E 

产品描述

SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M x 8bit 12us 63-Pin VFBGA Tray

内部编号

259-NAND512W3A2SZA6E

生产厂商

micron

micron

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NAND512W3A2SZA6E产品详细规格

规格书 NAND512W3A2SZA6E datasheet 规格书
NAND SLC
包装 63VFBGA
电池类型 SLC NAND
密度 512 Mb
建筑 Sectored
块组织 Symmetrical
典型工作电源电压 3|3.3 V
扇区大小 16Kbyte x 4096
定时类型 Asynchronous
工作温度 -40 to 85 °C
地址总线宽度 26 Bit
接口类型 Parallel
页面大小 512 byte
标准包装 Trays
安装 Surface Mount
包装宽度 9
包装长度 11
PCB 63
筛选等级 Industrial
地址总线宽度 26
典型工作电源电压 3|3.3
欧盟RoHS指令 Compliant
字数 64M
最低工作温度 -40
供应商封装形式 VFBGA
标准包装名称 BGA
最高工作温度 85
每字位数 8
引导块 No
最低工作电源电压 2.7
引脚数 63
最大工作电流 20
包装高度 0.65
最大随机存取时间 12000
封装 Tray
最大工作电源电压 3.6
密度 512M
铅形状 Ball
格式 - 存储器 FLASH
供应商设备封装 *
内存类型 FLASH - NAND
存储容量 512M (64M x 8)
电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V
封装/外壳 *
接口 Parallel
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
访问时间(最大) 12000 ns
地址总线 26 b
引导类型 Not Required
工作温度范围 -40C to 85C
包装类型 VFBGA
字长 8 b
工作温度(最大) 85C
工作温度(最小值) -40C
同步/异步 Asynchronous
工作温度分类 Industrial
可编程 Yes
电源电流 20 mA
弧度硬化 No
工作电源电压(典型值) 3/3.3 V
工作电源电压(最小值) 2.7 V
工作电源电压(最大值) 3.6 V
删除 Compliant

NAND512W3A2SZA6E系列产品

NAND512W3A2SZA6E也可以通过以下分类找到

NAND512W3A2SZA6E相关搜索

订购NAND512W3A2SZA6E.产品描述:SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M x 8bit 12us 63-Pin VFBGA Tray. 生产商: micron.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-82149488
    010-57196138
    010-62155488
    010-82149921
    010-82149008
  • 深圳
  • 0755-83997440
    0755-83975736
    0755-83247615
    0755-82511472
  • 苏州
  • 0512-67684200
    0512-68796728
    0512-67683728
    0512-67687578
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com