Microsemi
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大的基射极饱和电压 | 4@200mA@20A |
| 标准包装名称 | TO-204-AA |
| 最小直流电流增益 | 1500@1A@3V|1250@10A@3V|300@20A@3V |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 最大集电极发射极电压 | 100 |
| 最大基地发射极电压 | 7 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 20 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 3@200mA@20A|2@40mA@10A |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 100 |
| 供应商封装形式 | TO-3 |
| 筛选等级 | Military |
| 最低工作温度 | -65 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 175000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 20A |
| 晶体管类型 | PNP - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 3V @ 200mA, 20A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1mA |
| 标准包装 | 1 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| 供应商设备封装 | TO-3 |
| 封装 | Bulk |
| 功率 - 最大 | 175W |
| 封装/外壳 | TO-204AA, TO-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | * |
| 其他名称 | 1088-1027 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 20 A |
| 集电极 - 基极电压 | 100 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 100 V |
| 发射极 - 基极电压 | 7 V |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -65C to 175C |
| 包装类型 | TO-3 |
| 极性 | PNP |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 基射极饱和电压（最大值） | 4 V |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 3 V |
| 直流电流增益 | 1500 |
| 集电极电流（DC ） | 20 A |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 品牌 | Microsemi |
| 安装风格 | Through Hole |
| RoHS | No |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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