Microsemi HI-REL [MIL]
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 3mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
| 标准包装 | 1 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | TO-5 |
| 封装 | Bulk |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 30 @ 1.5A, 2V |
| 其他名称 | 1088-1012 |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 3 A |
| 集电极 - 基极电压 | 60 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 60 V |
| 发射极 - 基极电压 | 4 V |
| 功率耗散 | 1 W |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -55C to 200C |
| 包装类型 | TO-5 |
| 引脚数 | 3 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 35 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 晶体管极性 | PNP |
| 集电极电流（DC ） | 3 A |
| 直流电流增益 | 35 |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 500 mVDC |
| 安装风格 | Through Hole |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 30 at 1.5 A at 2 VDC |
| 直流电流增益hFE最大值 | 150 at 1.5 A at 2 VDC |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 60 VDC |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 4 VDC |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 60 VDC |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 集电极最大直流电流 | 3 mA |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 200 C |
| 品牌 | Microsemi |
| RoHS | No |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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