microsemi
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 晶体管类型 | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| 电压 - 额定 | 500V |
| 标准包装 | 25 |
| 供应商设备封装 | * |
| 电压 - 测试 | 150V |
| 封装 | * |
| 频率 | 128MHz |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | * |
| 电流 - 测试 | 15mA |
| 额定电流 | 10A |
| 功率 - 输出 | 900W |
| 安装 | Screw |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 引脚数 | 8 |
| 元件数 | 2 |
| 渠道类型 | N |
| 筛选等级 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 弧度硬化 | No |
| 频率（最大） | 150 MHz |
| 输入电容（典型值） @ VDS | 780@50V pF |
| 输出电容（典型值） @ VDS | 125@50V pF |
| 功率增益（典型值） @ VDS | 16 dB |
| 漏极效率（典型值） | 55 % |
| 连续漏极电流 | 10 A |
| 漏源电压（最大值） | 500 V |
| 功率耗散（最大） | 910000 mW |
| 工厂包装数量 | 4 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 上升时间 | 4.1 ns |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
| 类型 | RF Power MOSFET |
| 品牌 | Microsemi |
| Id - Continuous Drain Current | 10 A |
| Pd - Power Dissipation | 910 W |
| 输出功率 | 900 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 工作频率 | 150 MHz |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 技术 | Si |
| 正向跨导 - 闵 | 3 mS |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 4 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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