Microsemi Power Products Group
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 栅极电荷 | 660nC |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 170A |
| 安装类型 | Through Hole |
| 标准包装 | 25 |
| 开关能量 | 6mJ (on), 3.8mJ (off) |
| 时间Td（开/关） @ 25°C | 43ns/300ns |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 3.2V @ 15V, 85A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 1200V |
| 供应商设备封装 | TO-264 |
| 封装 | Tube |
| 功率 - 最大 | 962W |
| 输入类型 | Standard |
| 封装/外壳 | TO-264-3, TO-264AA |
| IGBT类型 | NPT |
| 测试条件 | 600V, 85A, 4.3 Ohm, 15V |
| 电流 - 集电极脉冲（ ICM ） | 340A |
| 集电极电流（DC ） | 170 A |
| 集电极 - 发射极电压 | 1200 V |
| 安装 | Through Hole |
| 包装类型 | TO-264 |
| 引脚数 | 3 +Tab |
| 工作温度（最大） | 150C |
| 工作温度（最小值） | -55C |
| 工作温度分类 | Military |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Single |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | �30 V |
| 弧度硬化 | No |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | +/- 250 nA |
| 连续集电极电流在25 C | 170 A |
| 品牌 | Microsemi |
| Pd - Power Dissipation | 962 W |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 3.5 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 1.2 kV |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最大栅极发射极电压 | +/- 30 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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