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厂商型号:

APT7F120B

芯天下内部编号:
253-APT7F120B
生产厂商:

microsemi

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-247
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 1200 V
最大连续漏极电流 7 A
RDS -于 2400@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 14 ns
典型上升时间 8 ns
典型关闭延迟时间 45 ns
典型下降时间 13 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-247
最低工作温度 -55
渠道类型 N
最大漏源电阻 2400@10V
最大漏源电压 1200
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 TO-247
最大功率耗散 335000
最大连续漏极电流 7
引脚数 3
铅形状 Through Hole
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 7A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 1mA
供应商设备封装 TO-247 [B]
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 2.9 Ohm @ 3A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 335W
漏极至源极电压(Vdss) 1200V (1.2kV)
输入电容(Ciss ) @ VDS 2565pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 80nC @ 10V
封装/外壳 TO-247-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
漏极电流(最大值) 7 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) �30 V
输出功率(最大) Not Required W
功率耗散 335 W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 2.4 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-247
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 1200 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
连续漏极电流 7 A
删除 Compliant
工厂包装数量 89
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1200 V
晶体管极性 N-Channel
封装/外壳 TO-247-3
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V
宽度 16.26 mm
Qg - Gate Charge 80 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
下降时间 13 ns
安装风格 Through Hole
品牌 Microsemi
商品名 POWER MOS 8
最高工作温度 + 150 C
正向跨导 - 闵 8 S
Id - Continuous Drain Current 7 A
长度 21.46 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 1.57 Ohms
RoHS RoHS Compliant
身高 5.31 mm
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 335 W
上升时间 8 ns
技术 Si

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