microsemi
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 1000 V |
| 最大连续漏极电流 | 5 A |
| RDS -于 | 2800@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 23 ns |
| 典型上升时间 | 21 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 72 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 500µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 供应商设备封装 | TO-220 [K] |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.8 Ohm @ 3A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 225W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1409pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 43nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 163 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1000 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Qg - Gate Charge | 43 nC |
| 下降时间 | 21 ns |
| 品牌 | Microsemi |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 5.6 S |
| Id - Continuous Drain Current | 5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.8 Ohms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 225 W |
| 上升时间 | 21 ns |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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