microsemi
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| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3T-MAX |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 最大连续漏极电流 | 67 A |
| RDS -于 | 65@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| 典型上升时间 | 28 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 29 ns |
| 典型下降时间 | 30 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 67A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 2.5mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 供应商设备封装 | T-MAX™ [B2] |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 65 mOhm @ 33.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 694W |
| 封装/外壳 | TO-247-3 Variant |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 7010pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 141nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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