microsemi
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 最大连续漏极电流 | 5 A |
| RDS -于 | 3800@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 7.4 ns |
| 典型上升时间 | 4.4 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 典型下降时间 | 6.9 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| Maximum Drain Source Resistance | 3800@10V |
| 最大漏源电压 | 1200 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-220 |
| 最大功率耗散 | 225000 |
| 最大连续漏极电流 | 5 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 1mA |
| 供应商设备封装 | TO-220 [K] |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4 Ohm @ 2A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 225W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1200V (1.2kV) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1385pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 43nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 连续漏极电流 | 5 A |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 功率耗散 | 225 W |
| 漏源导通电阻 | 4 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-220 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 1200 V |
| 弧度硬化 | No |
| 漏源极电压 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1385pF @ 25V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 4 Ohm @ 2A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 43nC @ 10V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 功率 - 最大值 | 225W |
| 工厂包装数量 | 1 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1200 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| 宽度 | 4.72 mm |
| Qg - Gate Charge | 43 nC |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 下降时间 | 6.9 ns |
| 品牌 | Microsemi |
| 商品名 | POWER MOS 8 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 4.5 S |
| Id - Continuous Drain Current | 5 A |
| 长度 | 10.26 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.12 Ohms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 身高 | 9.19 mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 225 W |
| 上升时间 | 4.4 ns |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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