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Thumbnail APT25GN120SG Thumbnail APT25GN120SG
厂商型号:

APT25GN120SG

芯天下内部编号:
253-APT25GN120SG
生产厂商:

Microsemi

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
供应商封装形式 D3PAK
最大栅极发射极电压 ±30
最大连续集电极电流 67
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-268-AA
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 1200
最大功率耗散 272000
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
栅极电荷 155nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 67A
安装类型 Surface Mount
标准包装 1
时间Td(开/关) @ 25°C 22ns/280ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.1V @ 15V, 25A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 D3Pak
封装 Tube
功率 - 最大 272W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
IGBT类型 Trench and Field Stop
测试条件 800V, 25A, 1 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 75A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流(DC ) 67 A
集电极 - 发射极电压 1200 V
安装 Surface Mount
包装类型 D3PAK
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
配置 Single
Gate to Emitter Voltage (Max) �30 V
弧度硬化 No
工厂包装数量 71
集电极 - 发射极饱和电压 1.7 V
工作温度范围 - 55 C to + 150 C
连续集电极电流Ic最大 67 A
技术 Si
品牌 Microsemi
连续集电极电流在25 C 67 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1.2 kV
身高 5.08 mm
安装风格 SMD/SMT
长度 16.05 mm
最大栅极发射极电压 30 V
栅极 - 射极漏泄电流 600 nA
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 272 W
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 67 A

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