microsemi
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 4SOT-227 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大连续漏极电流 | 175 A |
| RDS -于 | 11@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 20 ns |
| 典型上升时间 | 40 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 典型下降时间 | 10 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Screw |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-227 |
| Package Height | 9.6(Max) |
| 最大功率耗散 | 700000 |
| 渠道类型 | N |
| Maximum Drain Source Resistance | 11@10V |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 200 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 25.4(Max) |
| 供应商封装形式 | SOT-227 |
| Package Length | 38.2(Max) |
| PCB | 4 |
| 最大连续漏极电流 | 175 |
| 引脚数 | 4 |
| 铅形状 | Screw |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 175A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 5mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 供应商设备封装 | ISOTOP® |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 11 mOhm @ 500mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 700W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 21600pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 180nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 删除 | Compliant |
| 连续漏极电流 | 175 A |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 功率耗散 | 700 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-227 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 200 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 1 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| 宽度 | 25.4 mm |
| 封装/外壳 | SOT-227-4 |
| 下降时间 | 10 ns |
| 产品 | Power MOSFET Modules |
| 品牌 | Microsemi |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | POWER MOS V, ISOTOP |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| Id - Continuous Drain Current | 175 A |
| 长度 | 38.2 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 11 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 身高 | 9.6 mm |
| 安装风格 | Screw |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 700 W |
| 上升时间 | 40 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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