图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 ITC1100 |
| 系列 | * |
| 标准包装 | 1 |
| 集电极电流（DC ） | 80 A |
| 集电极 - 基极电压 | 65 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 30 V |
| 发射极 - 基极电压 | 3.5 V |
| 安装 | Screw |
| 引脚数 | 3 |
| 工作温度分类 | Automotive |
| 弧度硬化 | No |
| 功率耗散 | 3400 W |
| 工作温度范围 | -40C to 200C |
| 直流电流增益 | 20 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 80A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | * |
| 频率 - 转换 | 1.03GHz |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 65V |
| 供应商设备封装 | * |
| 封装 | * |
| 功率 - 最大 | 3400W |
| 增益 | 10dB ~ 10.5dB |
| 封装/外壳 | * |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 10 @ 5A, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 品牌 | Microsemi |
| 技术 | Si |
| RoHS | No |
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