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厂商型号

APT51M50J 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 500V 51A 4-Pin SOT-227

内部编号

253-APT51M50J

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

数量:28
1+¥190.0197
5+¥181.4726
10+¥175.7973
25+¥161.5749
50+¥156.7201
100+¥149.267
250+¥137.1643
500+¥126.3607
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#2

数量:71
1+¥198.0946
10+¥183.2096
25+¥168.3581
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

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原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

APT51M50J产品详细规格

规格书 APT51M50J datasheet 规格书
APT51M50J datasheet 规格书
Power Products Catalog
APT51M50J
APT51M50J datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 10
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 500V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 51A
Rds(最大)@ ID,VGS 75 mOhm @ 37A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 2.5mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 290nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 11600pF @ 25V
功率 - 最大 480W
安装类型 Chassis Mount
包/盒 SOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装 ISOTOP®
包装材料 Tube
包装 4SOT-227
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 500 V
最大连续漏极电流 51 A
RDS -于 75@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 45 ns
典型上升时间 55 ns
典型关闭延迟时间 120 ns
典型下降时间 39 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Screw
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-227
最低工作温度 -55
渠道类型 N
最大漏源电阻 75@10V
最大漏源电压 500
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-227
最大功率耗散 480000
最大连续漏极电流 51
引脚数 4
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Chassis Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 51A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 2.5mA
供应商设备封装 ISOTOP®
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 75 mOhm @ 37A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 480W
漏极至源极电压(Vdss) 500V
输入电容(Ciss ) @ VDS 11600pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 290nC @ 10V
封装/外壳 SOT-227-4, miniBLOC
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 18
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V
晶体管极性 N-Channel
封装/外壳 SOT-227-4
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
宽度 25.4 mm
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
下降时间 39 ns
产品 Power MOSFET Modules
品牌 Microsemi
通道数 1 Channel
商品名 POWER MOS 8, ISOTOP
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
Id - Continuous Drain Current 51 A
长度 38.2 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 64 mOhms
RoHS RoHS Compliant
身高 9.6 mm
安装风格 Screw
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 480 W
上升时间 55 ns

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