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厂商型号

APT39F60J 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 600V 42A 4-Pin SOT-227

内部编号

253-APT39F60J

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

数量:7
1+¥231.3432
10+¥213.9994
25+¥196.6501
100+¥182.7688
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APT39F60J产品详细规格

规格书 APT39F60J datasheet 规格书
APT39F60J datasheet 规格书
APT39F60J
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 10
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 42A
Rds(最大)@ ID,VGS 110 mOhm @ 28A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 2.5mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 280nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 11300pF @ 25V
功率 - 最大 480W
安装类型 Chassis Mount
包/盒 SOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装 SOT-227
包装材料 Tube
包装 4SOT-227
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 600 V
最大连续漏极电流 42 A
RDS -于 110@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 65 ns
典型上升时间 75 ns
典型关闭延迟时间 190 ns
典型下降时间 60 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Screw
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-227
最低工作温度 -55
渠道类型 N
最大漏源电阻 110@10V
最大漏源电压 600
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-227
最大功率耗散 480000
最大连续漏极电流 42
引脚数 4
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Chassis Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 42A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 2.5mA
漏极至源极电压(Vdss) 600V
供应商设备封装 ISOTOP®
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 110 mOhm @ 28A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 480W
输入电容(Ciss ) @ VDS 11300pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 280nC @ 10V
封装/外壳 SOT-227-4, miniBLOC
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
品牌 Microsemi
RoHS RoHS Compliant

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