microsemi
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 2Case E |
| 类型 | Switching Diode |
| 配置 | Single |
| 峰值反向重复电压 | 600 V |
| 峰值平均正向电流 | 3@Ta=55C A |
| 峰值反向恢复时间 | 400 ns |
| 峰值反向电流 | 1 uA |
| 峰值正向电压 | 1.5@9A V |
| 峰值不重复浪涌电流 | 80 A |
| 工作温度 | -65 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 抗辐射 | Yes |
| 标准包装 | Bulk |
| 供应商封装形式 | Case E |
| 标准包装名称 | Case E |
| 峰值反向恢复时间 | 400 |
| 最高工作温度 | 175 |
| 最大连续正向电流 | 3@Ta=55C |
| 工作结温度 | -65 to 175 |
| 峰值反向重复电压 | 600 |
| 峰值反向电流 | 1 |
| 峰值不重复浪涌电流 | 80 |
| 筛选等级 | Commercial |
| 峰值正向电压 | 1.5@9A |
| 最低工作温度 | -65 |
| 引脚数 | 2 |
| 封装 | * |
| 电流 - Vr时反向漏电 | 1µA @ 600V |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电压 - 正向（Vf） （最大） | 1.5V @ 9A |
| 电压 - （ Vr）（最大） | 600V |
| 热阻 | 22°C/W Jl |
| 供应商设备封装 | * |
| 反向恢复时间（trr ） | 400ns |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 175°C |
| 电流 - 平均整流（Io ） | 3A |
| 封装/外壳 | * |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| 二极管类型 | Standard |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 封装/外壳 | SQ-MELF, B |
| Vr - Reverse Voltage | 600 V |
| 产品 | Rectifiers |
| If - Forward Current | 3 A |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 175 C |
| Ir - Reverse Current | 1 uA |
| 品牌 | Microsemi |
| Vf - Forward Voltage | 1.5 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 恢复时间 | 400 ns |
| RoHS | No |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 80 A |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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