NXP Semiconductors
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| Type | Description |
|---|---|
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 2.2k |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1µA |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | 6-TSSOP |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆） | 2.2k |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 30 @ 20mA, 5V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 典型输入电阻 | 2.2 KOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 零件号别名 | PUMD20 T/R |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 晶体管类型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 2.2k |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 20mA, 5V |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 2.2k |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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