NXP Semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.4A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 900mV @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 6-HUSON (2X2) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 490mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 785pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 25nC @ 5V |
| 封装/外壳 | 6-UDFN Exposed Pad |
| 其他名称 | 568-10759-1 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Dual |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 连续漏极电流 | - 4.5 A |
| RDS（ON） | 55 mOhms |
| 功率耗散 | 8300 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | DFN2020-6 |
| 栅极电荷Qg | 16.5 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 135 ns |
| 上升时间 | 14 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 20 V |
| 下降时间 | 68 ns |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.4A |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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