NXP
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 类别 | Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 1 x 3 x 1.4mm |
| 身高 | 1mm |
| 长度 | 3mm |
| 最大的基射极饱和电压 | 0.9 V |
| 最大集电极基极电压 | 300 V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.5 V |
| 最大集电极发射极电压 | 300 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.1 A |
| 最大基地发射极电压 | 6 V |
| 最大工作频率 | 50 MHz |
| 最高工作温度 | +150°C |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最小直流电流增益 | 25 V |
| 最低工作温度 | -65°C |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | TO-236AB |
| 引脚数 | 3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 宽度 | 1.4mm |
| 晶体管极性 | :NPN |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :300V |
| 功耗 | :250mW |
| DC Collector Current | :100mA |
| DC Current Gain hFE | :40 |
| Operating Temperature Min | :-65°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-23 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Collector Emitter Voltage Vces | :500mV |
| Current Ic @ Vce Sat | :20A |
| Current Ic Continuous a Max | :100mA |
| Current Ic hFE | :10mA |
| Gain Bandwidth ft Typ | :50MHz |
| Hfe Min | :40 |
| 工作温度范围 | :-65°C to +150°C |
| 封装 | :Cut Tape |
| Peak Current Icm | :0.2A |
| Power Dissipation Ptot Max | :250mW |
| SMD Marking | :1D |
| 端接类型 | :SMD |
| Weight (kg) | 0.000008 |
| Tariff No. | 85412100 |
| RoHS指令 | RoHS Compliant Part |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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