nxp semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 5LFPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 100 A |
| RDS -于 | 2.7@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | 10 V |
| 典型导通延迟时间 | 34 ns |
| 典型上升时间 | 240 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 318 ns |
| 典型下降时间 | 234 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | 10 |
| Package Width | 4.1(Max) |
| PCB | 4 |
| 最大功率耗散 | 62500 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.7@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | LFPAK |
| 标准包装名称 | LFPAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 5(Max) |
| 引脚数 | 5 |
| Package Height | 1.1(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 100 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 100A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 950mV @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.7 mOhm @ 25A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 62.5W |
| 封装/外壳 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 5850pF @ 10V |
| 其他名称 | 568-2176-1 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 78nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single, Triple Source |
| 外形尺寸 | 5 x 4.1 x 1.1mm |
| 身高 | 1.1mm |
| 长度 | 5mm |
| 最大漏源电阻 | 0.003 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 62.5 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | LFPAK |
| 典型栅极电荷@ VGS | 78 nC V @ 4.5 |
| 典型输入电容@ VDS | 5850 pF V @ 10 |
| 宽度 | 4.1mm |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 10 V |
| 连续漏极电流 | 100 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 2.7 mOhms |
| 功率耗散 | 62.5 W |
| 零件号别名 | PH2520U T/R |
| 上升时间 | 240 ns |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 234 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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