nxp semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6SOT-666 |
| 配置 | Dual |
| 类型 | PNP |
| 最大集电极发射极电压 | 50 V |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 最小直流电流增益 | 60@5mA@5V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.15@0.5mA@10mA |
| Package Width | 1.3(Max) |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 300 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 100 |
| 最大集电极发射极电压 | 50 |
| 供应商封装形式 | SOT-666 |
| 标准包装名称 | SOT-666 |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Length | 1.7(Max) |
| 引脚数 | 6 |
| Package Height | 0.6(Max) |
| Typical Input Resistor | 22 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 铅形状 | Flat |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 22k |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1µA |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | SOT-666 |
| 电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆） | 22k |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 60 @ 5mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| 晶体管极性 | PNP |
| 典型输入电阻 | 22 KOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 零件号别名 | PEMB1 T/R |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
