图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 文档 |
Resin Hardener 02/Jul/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | NPN - Pre-Biased |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻 - 基地（R1）（欧姆） | 22k |
| 电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆） | 22k |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 60 @ 5mA, 5V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1µA |
| 频率转换 | - |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3TO-236AB |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 50 V |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 最小直流电流增益 | 60@5mA@5V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.15@0.5mA@10mA |
| 包装宽度 | 1.4(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 250 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 100 |
| 最大集电极发射极电压 | 50 |
| 供应商封装形式 | TO-236AB |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 3(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 1(Max) |
| 典型输入电阻 | 22 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | NPN - Pre-Biased |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 22k |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1µA |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆） | 22k |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 60 @ 5mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 568-6433-1 |
| 外形尺寸 | 3 x 1.4 x 1mm |
| 身高 | 1mm |
| 长度 | 3mm |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.15 V |
| 最大连续集电极电流 | 100 mA |
| 最大基地发射极电压 | 10 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 包装类型 | TO-236AB |
| 典型输入电阻 | 22 kΩ |
| 宽度 | 1.4mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| 晶体管极性 | NPN |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTC124ET T/R |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极 - 发射极电压 | 50 V |
| 直流电流增益（最小值） | 60 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 直流电流增益 | 60 |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 晶体管类型 | NPN - Pre-Biased |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 22k |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 60 @ 5mA, 5V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 22k |
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