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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

PBLS1504Y,115 

产品描述

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/15V 100mA/500mA 6-Pin TSSOP T/R

内部编号

229-PBLS1504Y-115

生产厂商

nxp semiconductors

nxp

#1

数量:9000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:3380
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美国费城
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PBLS1504Y,115产品详细规格

规格书 PBLS1504Y,115 datasheet 规格书
PBLS1504Y,115 datasheet 规格书
文档 Resin Hardener 02/Jul/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA, 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V, 15V
电阻 - 基地(R1)(欧姆) 22K
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) 22K
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) 1µA, 100nA
频率转换 280MHz
功率 - 最大 300mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装 6-TSSOP
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 6TSSOP
配置 Dual
类型 NPN|PNP
最大集电极发射极电压 50@NPN|15@PNP V
峰值直流集电极电流 100@NPN|500@PNP mA
最大的基射极饱和电压 1.1@50mA@500mA@PNP V
最小直流电流增益 60@5mA@5V@NPN|200@10mA@2V@PNP|150@100mA@2V@PNP|90@500mA@2V@PNP
工作温度 -65 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大的基射极饱和电压 1.1@50mA@500mA@PNP
最低工作温度 -65
最大集电极发射极饱和电压 0.15@0.5mA@10mA@NPN|0.025@0.5mA@1...
包装宽度 1.35(Max)
PCB 6
最大功率耗散 300
欧盟RoHS指令 Compliant
Maximum Continuous DC Collector Current 100@NPN|500@PNP
最大集电极发射极电压 50@NPN|15@PNP
供应商封装形式 TSSOP
标准包装名称 TSSOP
最高工作温度 150
包装长度 2.2(Max)
引脚数 6
包装高度 1(Max)
典型输入电阻 22@NPN
封装 Tape and Reel
典型电阻器比率 1@NPN
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA, 500mA
晶体管类型 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
频率 - 转换 280MHz
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) 22k
电流 - 集电极截止(最大) 1µA, 100nA
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V, 15V
供应商设备封装 6-TSSOP
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆) 22k
功率 - 最大 300mW
封装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型 Surface Mount
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 568-7224-1
工厂包装数量 3000
产品种类 Transistors Switching - Resistor Biased
晶体管极性 NPN/PNP
典型输入电阻 22 KOhms at NPN
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V at NPN, 15 V at PNP
最低工作温度 - 65 C
最高工作温度 + 150 C
零件号别名 PBLS1504Y T/R
RoHS RoHS Compliant
包装类型 SOT-363
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
直流电流增益 60
频率 - 跃迁 280MHz
供应商器件封装 6-TSSOP
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
晶体管类型 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) 22k
电流 - 集电极截止(最大值) 1µA, 100nA
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
封装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
功率 - 最大值 300mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V, 15V
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) 22k

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