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厂商型号:

BZB984-C3V9,115

芯天下内部编号:
229-BZB984-C3V9-115
生产厂商:

NXP Semiconductors

microsemi
描述:
Z
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
供应商封装形式 SOT-663
标准包装名称 SC-89
类型 Voltage Regulator
Nominal Zener Voltage 3.9
最高工作温度 150
Maximum Zener Impedance 90
Package Height 0.6(Max)
最大反向漏泄电流 3
最大功率耗散 425
封装 Tape and Reel
欧盟RoHS指令 Compliant
齐纳电压容差 5%
Package Width 1.3(Max)
安装 Surface Mount
PCB 3
Package Length 1.7(Max)
最低工作温度 -65
配置 Dual Common Anode
测试电流 5
引脚数 3
电流 - Vr时反向漏电 3µA @ 1V
电压 - 齐纳(额定值)(Vz ) 3.9V
电压 - 正向(Vf) (最大) 900mV @ 10mA
标准包装 4,000
供应商设备封装 SOT-663
功率 - 最大 265mW
阻抗(最大值)(Zzt ) 85 Ohm
安装类型 Surface Mount
容差 ±5%
封装/外壳 SOT-663
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 4000
产品种类 Zener Diodes
齐纳电压 3.9 V
最大齐纳阻抗 90 Ohms
最大反向漏泄电流 3 uA
电压温度系数 - 1.9 mV/k
安装风格 SMD/SMT
电压容差 5 %
功率耗散 425 mW
最低工作温度 - 65 C
封装/外壳 SOT-3
零件号别名 BZB984-C3V9 T/R
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
其他名称 568-11126-1
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf) 900mV @ 10mA
容差 ±5%
配置 1 Pair Common Anode
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 3µA @ 1V
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 3.9V
封装/外壳 SOT-663
功率 - 最大值 265mW
阻抗(最大值)(Zzt) 85 Ohm
封装类型 SOT-663
齐纳电压容差 5%
典型电压温度系数 -1.9mV/°C
额定齐纳电压 3.9V
安装类型 表面贴装
高度 0.6mm
最大反向漏电流 3µA
最低工作温度 -65 °C
Board Level Components Y
最大功率耗散 425 mW
宽度 1.3mm
尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm
每片芯片元件数目 2
引脚数目 3
最高工作温度 +150 °C
长度 1.7mm
齐纳类型 稳压器
最大齐纳阻抗 90Ω
二极管配置 共阳极
测试电流 5mA

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