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厂商型号:

BSS192,115

芯天下内部编号:
229-BSS192-115
生产厂商:

NXP Semiconductors

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
Maximum Gate Source Voltage ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
Maximum Operating Temperature 150
通道模式 Enhancement
标准包装名称 SOT-89
Minimum Operating Temperature -65
渠道类型 P
封装 Tape and Reel
Maximum Drain Source Resistance 12000@10V
Maximum Drain Source Voltage 240
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-89
最大功率耗散 1000
Maximum Continuous Drain Current 0.2
引脚数 4
铅形状 Flat
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 200mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.8V @ 1mA
供应商设备封装 SOT-89-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 12 Ohm @ 200mA, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1W
标准包装 1,000
漏极至源极电压(Vdss) 240V
输入电容(Ciss ) @ VDS 90pF @ 25V
封装/外壳 TO-243AA
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 568-6226-1
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 4.6 x 2.6 x 1.6mm
身高 1.6mm
长度 4.6mm
最大连续漏极电流 -0.2 A
最大漏源电阻 12 Ω
最大漏源电压 -240 V
最大门源电压 ±20 V
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 1 W
包装类型 SOT-89
典型输入电容@ VDS 55 pF V @ -25
典型关闭延迟时间 20 ns
典型导通延迟时间 5 ns
宽度 2.6mm
工厂包装数量 1000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
源极击穿电压 - 20 V
连续漏极电流 - 200 mA
正向跨导 - 闵 200 mS, 60 mS
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 12 Ohms
功率耗散 1 W
最低工作温度 - 65 C
封装/外壳 SOT-89
零件号别名 BSS192 T/R
漏源击穿电压 - 240 V
RoHS RoHS Compliant
Continuous Drain Current Id :-200mA
Drain Source Voltage Vds :-240V
On Resistance Rds(on) :12ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-10V
Threshold Voltage Vgs :-2.8V
功耗 :1W
Operating Temperature Min :-65°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-89
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max :-200mA
工作温度范围 :-65°C to +150°C
端接类型 :SMD
晶体管类型 :Enhancement
Voltage Vds Typ :-240V
Voltage Vgs Max :-2.8V
Voltage Vgs Rds on Measurement :-10V
Weight (kg) 0.000006
Tariff No. 85412900

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