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厂商型号:

BSP62.115

芯天下内部编号:
229-BSP62-115
生产厂商:

nxp semiconductors

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 4SOT-223
配置 Single Dual Collector
类型 PNP
最大集电极发射极电压 80 V
峰值直流集电极电流 1 A
最小直流电流增益 1000@150mA@10V|2000@500mA@10V
最大集电极发射极饱和电压 1.3@0.5mA@500mA V
最大集电极基极电压 90 V
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1.9@0.5mA@500mA
最大集电极发射极饱和电压 1.3@0.5mA@500mA
Package Width 3.7(Max)
PCB 3
Maximum Power Dissipation 1250
欧盟RoHS指令 Compliant
引脚数 4
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 90
最低工作温度 -65
供应商封装形式 SC-73
标准包装名称 SOT-223
最高工作温度 150
Maximum Continuous DC Collector Current 1
Package Length 6.7(Max)
最大集电极发射极电压 80
Package Height 1.7(Max)
Maximum Emitter Base Voltage 5
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1A
晶体管类型 PNP - Darlington
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 200MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1.3V @ 500µA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) 50nA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 SC-73
功率 - 最大 1.25W
封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 2000 @ 500mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 568-6881-1
工厂包装数量 1000
产品种类 Transistors Darlington
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
直流集电极/增益hfe最小值 1000
集电极最大直流电流 1 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 80 V
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 1.25 W
集电极 - 基极电压VCBO 90 V
最低工作温度 - 65 C
零件号别名 BSP62 T/R
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 - 1 A
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :-80V
Transition Frequency ft :200MHz
功耗 :1.25W
DC Collector Current :-1A
DC Current Gain hFE :2000
Operating Temperature Min :-65°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-223
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Collector Emitter Voltage Vces :-1.3V
Current Ic Continuous a Max :-500mA
Gain Bandwidth ft Typ :200MHz
Hfe Min :2000
工作温度范围 :-65°C to +150°C
端接类型 :SMD
Weight (kg) 0.000006
Tariff No. 85412900

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