nxp semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-236AB |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 55 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.335 A |
| RDS -于 | 4000@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±10 V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±10 |
| Package Width | 1.4(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 830 |
| 最大漏源电压 | 55 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 4000@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 供应商封装形式 | TO-236AB |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 3(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 1(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 0.335 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 335mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.3V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4 Ohm @ 500mA, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 830mW |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 40pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 1nC @ 8V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 10 V |
| 连续漏极电流 | 0.335 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 4000 mOhms at 4.5 V |
| 功率耗散 | 830 mW |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 封装/外壳 | SOT-23 |
| 零件号别名 | /T3 BSH111 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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