nxp semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 4SOT-223 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 4 |
| 最大集电极发射极电压 | 8 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.25 A |
| 最小直流电流增益 | 25@100mA@4.8V |
| 最大集电极基极电压 | 16 V |
| 工作温度 | -65 to 175 °C |
| 最大功率耗散 | 2100 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 产品种类 | Transistors RF Bipolar Power |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 配置 | Single Dual Emitter |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 8 V |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 2.5 V |
| 功率耗散 | 2100 mW |
| 封装/外壳 | SOT-223 |
| 封装 | Reel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 零件号别名 | BLT70 T/R |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 250mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 900MHz |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 8V |
| 供应商设备封装 | SC-73 |
| 功率 - 最大 | 2.1W |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 25 @ 100mA, 4.8V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Bipolar RF |
| 外形尺寸 | 1.7 x 6.7 x 3.7mm |
| 身高 | 1.7mm |
| 长度 | 6.7mm |
| 最大基地发射极电压 | 2.5 V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | SC-73 |
| 宽度 | 3.7mm |
| 频率 - 跃迁 | 900MHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 25 @ 100mA, 4.8V |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| 功率 - 最大值 | 2.1W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 250mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 8V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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