所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 系列 | * |
| 标准包装 | 100 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | 13 V |
| 正向跨导 - 闵 | 16 S |
| RDS(ON) | 69 mOhms |
| 漏源击穿电压 | 65 V |
| 封装 | Bulk |
| 频率 | 2400 MHz to 2500 MHz |
| 增益 | 19 dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 产品类型 | RF Power Transistor |
| 类型 | Power LDMOS Transistor |
| 最高工作温度 | + 225 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 其他名称 | 934067836118 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| Id - Continuous Drain Current | 1.3 A |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 13 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 65 V |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 69 mOhms |
| 工作频率 | 2400 MHz to 2500 MHz |
| 技术 | Si |
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