nxp semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-236AB |
| 配置 | Single |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 最大连续漏极电流 | 10 mA |
| 最大门源电压 | -25 V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 供应商封装形式 | TO-236AB |
| 最大门源电压 | -25 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| Package Height | 1(Max) |
| 最大功率耗散 | 250 |
| Maximum Drain Gate Voltage | -25 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Package Width | 1.4(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 10 |
| PCB | 3 |
| Package Length | 3(Max) |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大漏源电压 | 25 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ） | 4mA @ 10V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 电压 - 切断（VGS关）@ Id | 5V @ 0.5nA |
| 漏极电流（Id ） - 最大 | 10mA |
| FET型 | N-Channel |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 25V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4pF @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 漏源电压VDS | 25 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 25 V |
| 产品 | RF JFET |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 漏源电流在Vgs = 0 | 10 mA |
| 类型 | Silicon |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | 25 V |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| Id - Continuous Drain Current | 10 mA |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW |
| 晶体管类型 | JFET |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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