NXP Semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 供应商封装形式 | TO-236AB |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 配置 | Single |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| Package Height | 1(Max) |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大功率耗散 | 250 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Package Width | 1.4(Max) |
| Maximum Drain Gate Voltage | -30 |
| PCB | 3 |
| Package Length | 3(Max) |
| 最低工作温度 | -65 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 晶体管类型 | N-Channel JFET |
| 电压 - 额定 | 30V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 额定电流 | 13mA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 外形尺寸 | 3 x 1.4 x 1mm |
| 身高 | 1mm |
| 长度 | 3mm |
| 最大漏极栅极电压 | -30V |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大门源电压 | -30 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包装类型 | TO-236AB |
| 宽度 | 1.4mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 漏源电压VDS | 30 V |
| 产品种类 | Transistors RF JFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | - 30 V |
| 栅源截止电压 | - 0.5 V to - 7.5 V |
| 产品 | RF JFET |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 类型 | Silicon |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 漏源电流在Vgs = 0 | 6 mA to 13 mA |
| 零件号别名 | BF556B T/R |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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