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| 规格书 |
 BF1208D |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 4,000 |
| 晶体管类型 | N-Channel Dual Gate |
| 频率 | 400MHz |
| 增益 | 32dB |
| 电压 - 测试 | 5V |
| 额定电流 | 30mA |
| 噪声系数 | 0.9dB |
| 电流 - 测试 | 19mA |
| Power - 输出功率 | - |
| 电压 - 额定 | 6V |
| 包/盒 | SOT-563, SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 晶体管类型 | N-Channel Dual Gate |
| 电压 - 额定 | 6V |
| 噪声系数 | 0.9dB |
| 标准包装 | 4,000 |
| 供应商设备封装 | SOT-666 |
| 电压 - 测试 | 5V |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 频率 | 400MHz |
| 增益 | 32dB |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| 电流 - 测试 | 19mA |
| 额定电流 | 30mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 6 V |
| 连续漏极电流 | 30 mA |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 180 mW |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 零件号别名 | BF1208D T/R |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 6 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 电流 - 测试 | 19mA |
| 噪声系数 | 0.9dB |
| 晶体管类型 | N-Channel Dual Gate |
| 电压 - 测试 | 5V |
| 增益 | 32dB |
| 额定电流 | 30mA |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| 频率 | 400MHz |
| 电压 - 额定 | 6V |
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