图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BF1208 |
| 文档 |
Multiple Devices 26/Dec/2012 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 4,000 |
| 晶体管类型 | N-Channel Dual Gate |
| 频率 | 400MHz |
| 增益 | 32dB |
| 电压 - 测试 | 5V |
| 额定电流 | 30mA |
| 噪声系数 | 1.3dB |
| 电流 - 测试 | 19mA |
| Power - 输出功率 | - |
| 电压 - 额定 | 6V |
| 包/盒 | SOT-563, SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 晶体管类型 | N-Channel Dual Gate |
| 电压 - 额定 | 6V |
| 噪声系数 | 1.3dB |
| 标准包装 | 4,000 |
| 供应商设备封装 | SOT-666 |
| 电压 - 测试 | 5V |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 频率 | 400MHz |
| 增益 | 32dB |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| 电流 - 测试 | 19mA |
| 额定电流 | 30mA |
| 类别 | RF MOSFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Common Source, Dual |
| 外形尺寸 | 1.7 x 1.3 x 0.6mm |
| 身高 | 0.6mm |
| 长度 | 1.7mm |
| 最大连续漏极电流 | 0.03 A |
| 最大漏源电压 | 6 V |
| 最大门源电压 | 6 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 0.18 W |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 包装类型 | SOT-666, SSMini |
| 引脚数 | 6 |
| 典型输入电容@ VDS | 2 pF pF @ 5 V (Gate 1, Transistor B), 2.2 pF pF @ 5 V (Gate 1, Transistor A), 3 pF pF @ 5 V (Gate 2, Transistor A), 3.4 pF pF @ 5 V (Gate 2, Transistor B) |
| 典型功率增益 | 36 (Transistor A) dB, 37 (Transistor B) dB |
| 宽度 | 1.3mm |
| RoHS指令 | Compliant |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 6 V |
| 连续漏极电流 | 30 mA |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 180 mW |
| 零件号别名 | BF1208 T/R |
| 漏源击穿电压 | 6 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 电流 - 测试 | 19mA |
| 噪声系数 | 1.3dB |
| 晶体管类型 | N-Channel Dual Gate |
| 电压 - 测试 | 5V |
| 增益 | 32dB |
| 额定电流 | 30mA |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| 频率 | 400MHz |
| 电压 - 额定 | 6V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 6 V, 6 V |
| 类型 | RF Small Signal MOSFET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V, 10 V |
| 技术 | Si |
| Pd - Power Dissipation | 180 mW |
| Id - Continuous Drain Current | 30 mA, 30 mA |
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