NXP Semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 供应商封装形式 | TSSOP |
| 标准包装名称 | TSSOP |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -65 |
| Package Height | 1(Max) |
| 安装 | Surface Mount |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Typical Power Gain | 35@Amp A|34@Amp B |
| Maximum Drain Source Voltage | 10 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| Package Width | 1.35(Max) |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 1.8@5V@Gate 1|3.3@5V@Gate 2 |
| PCB | 6 |
| Package Length | 2.2(Max) |
| 最大功率耗散 | 200 |
| Maximum Continuous Drain Current | 0.03 |
| 引脚数 | 6 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 晶体管类型 | N-Channel Dual Gate |
| 电压 - 额定 | 10V |
| 噪声系数 | 1.2dB |
| 标准包装 | 10,000 |
| 供应商设备封装 | 6-TSSOP |
| 电压 - 测试 | 5V |
| 频率 | 800MHz |
| 增益 | 35dB |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 电流 - 测试 | 12mA |
| 额定电流 | 30mA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | Dual N-Channel |
| 连续漏极电流 | 30 mA |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 配置 | Dual |
| 漏源击穿电压 | 10 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V, 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 10 V, 10 V |
| 技术 | Si |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| Id - Continuous Drain Current | 30 mA, 30 mA |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| 类型 | RF Small Signal MOSFET |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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