所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 4SOT-143R |
| 配置 | Single Dual Gate |
| 最大漏源电压 | 3 V |
| 最大连续漏极电流 | 10 mA |
| 最大门源电压 | 7 V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 供应商封装形式 | SOT-143R |
| 标准包装名称 | SOT-143R |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Width | 1.4(Max) |
| 通道模式 | Depletion |
| Package Height | 1(Max) |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 20000@0V |
| 最大漏源电压 | 3 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 标签 | Tab |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 1 |
| PCB | 3 |
| Package Length | 3(Max) |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大连续漏极电流 | 0.01 |
| 引脚数 | 4 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 电压 - 额定 | 3V |
| 供应商设备封装 | SOT-143R |
| 封装/外壳 | SOT-143R |
| 额定电流 | 10mA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 568-1958-1 |
| 外形尺寸 | 3 x 1.4 x 1mm |
| 身高 | 1mm |
| 长度 | 3mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包装类型 | SC-61B |
| 宽度 | 1.4mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 7 V |
| 连续漏极电流 | 10 mA |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS(ON) | 12 Ohms |
| 零件号别名 | BF1108R T/R |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅源电压(最大值) | 7 V |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 工作温度(最大) | 150C |
| 工作温度(最小值) | -65C |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏栅极电压(最大值) | 7 V |
| 漏源电压(最大值) | 3 V |
| 筛选等级 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 漏源电压(最大值) | 3 V |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 额定电流 | 10mA |
| 封装/外壳 | SOT-143R |
| 电压 - 额定 | 3V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 1mm |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 宽度 | 1.4mm |
| 封装类型 | SC-61B |
| 引脚数目 | 4 |
| 长度 | 3mm |
| 尺寸 | 3 x 1.4 x 1mm |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 3 V |
| 类型 | RF Small Signal MOSFET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| Id - Continuous Drain Current | 10 mA |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 3 V |
| 通道数 | 1 Channel |
| 技术 | Si |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 20 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 7 V |
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