所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 引脚数 | 4 |
| 最大集电极发射极电压 | 45 V |
| 最小直流电流增益 | 63@5mA@2V|63@150mA@2V|40@500mA@2V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@50mA@500mA V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1350 mW |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 1 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-89 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 1350 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 145(Typ) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 45 |
| 供应商封装形式 | SOT-89 |
| 最大集电极发射极电压 | 45 |
| 类型 | PNP |
| 铅形状 | Flat |
| 电流 - 集电极( Ic)(最大) | 1A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 145MHz |
| 下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 500mV @ 50mA, 500mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 45V |
| 供应商设备封装 | SOT-89-3 |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 63 @ 150mA, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 568-6126-1 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 增益带宽产品fT | 145 MHz |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 63 at 5 mA at 2 V |
| 直流电流增益hFE最大值 | 63 at 5 mA at 2 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 45 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 集电极最大直流电流 | 1 A |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 零件号别名 | BCX51 T/R |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流(DC ) | 1 A |
| 集电极 - 基极电压 | 45 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 45 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率 | 145 MHz |
| 功率耗散 | 1.35 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-89 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 63 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 案例 | SOT89 |
| Transistor type | PNP |
| 极化 | bipolar |
| Multiplicity | 1 |
| Collector-emitter voltage | 45V |
| Gross weight | 0.2 g |
| Collector current | 1A |
| Collective package [pcs] | 1000 |
| spg | 1000 |
| 频率 - 跃迁 | 145MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 500mV @ 50mA, 500mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 63 @ 150mA, 2V |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 功率 - 最大值 | 1.3W |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V |
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