NXP Semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 集电极电流（DC ） | 0.5 A |
| 集电极 - 基极电压 | 40 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 30 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1 V |
| 发射极 - 基极电压 | 10 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | TO-236AB |
| 封装 | Tape and Reel |
| 引脚数 | 3 |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 4000 |
| 工作温度分类 | Military |
| 基射极饱和电压（最大值） | 1.5 V |
| 弧度硬化 | No |
| 标记 | FF* |
| Amplification | 4000 ...20000 |
| Collector-emitter voltage | 30 |
| Transit frequency | 220 |
| Collector current | 0.3 A |
| Power dissipation | 0.35 |
| Housing type | SOT-23 |
| 高度 | 1mm |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.5 V |
| 长度 | 3mm |
| 最大发射极-基极电压 | 10 V |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最大集电极-发射极电压 | 30 V |
| 最大连续集电极电流 | 500 mA |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1 V |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 宽度 | 1.4mm |
| 尺寸 | 3 x 1.4 x 1mm |
| 最小直流电流增益 | 4000 |
| 最大集电极-基极电压 | 40 V |
| 最大集电极-基极截止电流 | 100nA |
| 封装类型 | TO-236AB |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
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