nxp semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-236AB |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 30 V |
| 峰值直流集电极电流 | 0.5 A |
| 最小直流电流增益 | 4000@1mA@5V|10000@10mA@5V|20000@100mA@5V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.1mA@100mA V |
| 最大集电极基极电压 | 40 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1.5@0.1mA@100mA |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.1mA@100mA |
| Package Width | 1.4(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 250 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大集电极发射极电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 40 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 供应商封装形式 | TO-236AB |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 0.5 |
| Package Length | 3(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 1(Max) |
| Maximum Emitter Base Voltage | 10 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 500mA |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 220MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1V @ 100µA, 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20000 @ 100mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 568-6111-1 |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.5 A |
| 集电极 - 基极电压（最大值） | 40 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 30 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1 V |
| 发射极 - 基极电压（最大值） | 10 V |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | TO-236AB |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 基射极饱和电压（最大值） | 1.5 V |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极 - 基极电压（最大值） | 40 V |
| 集电极 - 基极电压 | 40 V |
| 发射极 - 基极电压 | 10 V |
| 直流电流增益 | 4000 |
| 集电极电流（DC ） | 0.5 A |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
